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泰克2600-PCT-1B參數(shù)曲線跟蹤儀

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

泰克2600-PCT-1B參數(shù)曲線跟蹤儀
開發(fā)和使用 MOSFET、IGBT、二極管和其他大功率器件，需要全面的器件級(jí)檢定，如擊穿電壓、通態(tài)電流和電容測(cè)量。 Keithley 高功率參數(shù)化波形記錄器系列的配置支持所有的設(shè)備類型和測(cè)試參數(shù)。 Keithley 參數(shù)化波形記錄器配置包括檢定工程師快速開發(fā)全面測(cè)試系統(tǒng)所需的一切。

產(chǎn)品型號(hào)：2600-PCT-1B

更新時(shí)間：2024-11-26

廠商性質(zhì)：代理商

訪問量：1067

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品牌	泰克	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	電子

泰克2600-PCT-1B參數(shù)曲線跟蹤儀

高性能器件特性分析

開發(fā)和使用MOSFETS、IGBTs、二極管及其他高功率器件要求完善的器件級(jí)特性分析，如擊穿電壓、開態(tài)電流和電容測(cè)量。吉時(shí)利一系列高功率參數(shù)曲線跟蹤儀配置支持全系列器件類型和測(cè)試參數(shù)。吉時(shí)利參數(shù)曲線跟蹤儀配置包括特性分析工程師迅速開發(fā)完整的測(cè)試系統(tǒng)所需的一切。ACS基本版軟件提供了完整的器件特性分析，包括實(shí)時(shí)跟蹤模式及全部參數(shù)模式，實(shí)時(shí)跟蹤模式用來迅速檢查基礎(chǔ)器件參數(shù)，如擊穿電壓；全部參數(shù)模式用來提取精確的器件參數(shù)。ACS基本版超越了傳統(tǒng)曲線跟蹤儀接口的能力，提供了廣泛的一系列樣本庫(kù)。更重要的是，用戶可以全面控制所有測(cè)試資源，創(chuàng)建以前在曲線追蹤儀上不能26實(shí)00現(xiàn)-P的C更T-先4B進(jìn)型的，測(cè)試。

分析各種功率器件類型的電特性，包括：

MOSFET	IGBT	Triac	電阻器
BJT	二極管	電容器	等等...

分析各種功率器件類型的電特性，包括：

擊穿電壓 (Bvdss, Bvceo)	漏極/集電極泄漏 (Idss, Ir/Icbo,Iceo)	閾值或截止電壓 (Vth, Vf, Vbeon)	電容 (Ciss, Coss, Crss)
開態(tài)電流 (Vdson, Vcesat, Vf)	機(jī)極/基極泄漏 (Igss, Ib)	正向傳輸 (yfs, Gfs, Hfe, gain)	等等...

吉時(shí)利參數(shù)曲線跟蹤儀同時(shí)支持封裝部件測(cè)試和晶圓級(jí)測(cè)試。

主要特點(diǎn):

為*性能價(jià)格比設(shè)計(jì)的完整的解決方案
現(xiàn)場(chǎng)可升級(jí)，可重新配置 – 把PCT 轉(zhuǎn)換成可靠性或晶圓分類測(cè)試儀
可以配置功率電平：
–從200V到3kV
–從1A到100A
寬動(dòng)態(tài)范圍：
–從μV到kV
–從fA到100A
范圍全面的電容電壓(C-V)功能：
–從fF到μF
–支持2端子、3端子和4端子器件
–高達(dá)3kV DC偏置
高性能測(cè)試夾具支持多種封裝類型

應(yīng)用

功率半導(dǎo)體器件特性分析與測(cè)試
GaN、SiC、LDMOS以及其他器件
特性分析
功率器件可靠性研究器件檢測(cè)與質(zhì)量認(rèn)證

吉時(shí)利參數(shù)曲線跟蹤儀同時(shí)支持封裝部件測(cè)試和晶圓級(jí)測(cè)試。

吉時(shí)利參數(shù)曲線跟蹤儀配置是完整的特性分析工具，包括功率器件分析所需的主要要素。測(cè)量通道包括吉時(shí)利數(shù)字源表®源測(cè)量單元(SMU)儀器和選配的多頻率電容-電壓(C-V) 表。這些儀器的動(dòng)態(tài)范圍和準(zhǔn)確度比傳統(tǒng)曲線跟蹤儀高出若干量級(jí)。

完整的系統(tǒng)附件

為了實(shí)現(xiàn)這種性能，吉時(shí)利公司已經(jīng)開發(fā)出一系列高精密電纜，實(shí)現(xiàn)與吉時(shí)利8010型高功率器件測(cè)試夾具或8020型高功率接口面板的連接，前者用于封裝部件測(cè)試，后者用于晶圓級(jí)測(cè)試。對(duì)于高電壓通道，定制三軸電纜可以提供保護(hù)路徑，支持快速穩(wěn)定和超低電流，包括在3kV全高壓情況下。對(duì)于高電流通道，低電感電纜可以提供快速上升時(shí)間脈沖，使器件自熱效應(yīng)達(dá)到小。

高壓電容-電壓(C-V)

測(cè)試器件電容相對(duì)DC電壓的關(guān)系正變得越來越重要。吉時(shí)利提供了PCT-CVU型多頻率電容電壓表。在與選配的200V或3kV偏置T型裝置結(jié)合使用時(shí)，可以在兩端子、三端子或四端子器件上測(cè)量電容相對(duì)電壓的關(guān)系。可以測(cè)量從pF到100nF的電容，支持10kHz ~ 2MHz的測(cè)試頻率。ACS基本版軟件提供了60多種內(nèi)置C-V測(cè)試，包括MOSFET Ciss、Coss、Crss、Cgd、Cgs、Cds及全套其他器件，如BJTs和二極管。一如既往，用戶可以實(shí)現(xiàn)全面控制，在ACS基本版軟件中開發(fā)自己的測(cè)試算法。

配置選型指南
型號(hào)1		集電極/漏極電源2		階躍發(fā)生器基極/柵極電源	輔助電源
型號(hào)1		高壓模式	高流模式	階躍發(fā)生器基極/柵極電源	輔助電源
低功率	2600-PCT-1B	200 V/10 A	200 V/10 A	200 V/10 A	N/A
高流	2600-PCT-2B	200 V/10 A	40 V/50 A	200 V/10 A	200 V/10 A
高壓	2600-PCT-3B	3 kV/120 mA 200 V/10 A		200 V/10 A	200 V/10 A
高流和高壓	2600-PCT-4B	3 kV/120 mA 40 V/50 A		200 V/10 A	200 V/10 A

1.關(guān)于定制配置，請(qǐng)與吉時(shí)利現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師聯(lián)系。
2. 通過添加2651A型號(hào)，可以將高電流模式增加到50A或100A。
3. 可以在任何配置中增加PCT-CVU多頻率電容表。

半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試軟件，適用于組件與分立器件

ACS基本版本軟件是專為利用吉時(shí)利儀器的高性能能力而開發(fā) 的，它包括幾個(gè)履行常見高功率器件測(cè)試的樣本庫(kù)。與其他系統(tǒng)不同的是，該軟件在測(cè)量通道配置方面，給用戶帶來幾乎不受限制的靈活性，可以創(chuàng)建傳統(tǒng)曲線跟蹤儀無法實(shí)現(xiàn)的測(cè)試。

多測(cè)試模式允許對(duì)一個(gè)器件進(jìn)行多項(xiàng)測(cè)試。

跟蹤模式支持器件的交互測(cè)試。

與傳統(tǒng)曲線跟蹤儀相比，PCT圖形提供了高分辨率屏幕數(shù)據(jù)分析功能、完整的圖形定制能力，并能夠簡(jiǎn)便地報(bào)告到任何字處理軟件或報(bào)告軟件。

泰克2600-PCT-1B參數(shù)曲線跟蹤儀

典型功率晶體管參數(shù)

參數(shù)	符號(hào)	測(cè)試方法¹	大量程	典型*分辨率	典型精度
擊穿電壓	Bvdss, Bvceo	Id-Vd或Id(脈沖)	±3000 V²	100 µV, 10 fA	0.05% rdg + 0.05% rng
開態(tài)電流(直流)	Vdson, Vcesat, Vf	Id–Vd	±20⁴ ，可選：±40A⁴	100 nA, 1 µV	0.05% rdg + 0.05% rng
開態(tài)電流(脈沖)	Vdson, Vcesat, Vf	Id–Vd	±50A⁴，可選：±100A⁴	100 µA, 1 µV	0.05% rdg + 0.05% rng
漏極/集電極漏電流	Idss, Ir/Icbo, Iceo	Id–Vd	±20 mA @ 3000^{2, 5}	10fA, 1µV	0.2% rdg + 1% rng
柵極/基極漏電流	Igss, Ib	Ig–Vg	±1A或±10 A脈沖³	10 fA, 1 µV	0.2% rdg + 1% rng
開態(tài)閾值電壓或截止電壓	Vth,Vf,Vbeon,Vcesat	Id–Vg	±200V³	10fA,1µV	0.2% rdg + 0.5% rng
正向傳輸導(dǎo)納或正向跨導(dǎo)	\|yfs\| Gfs, Hfe, gain	Vd–Id@Vds	1 ms ～1000s⁶	1 pA, 1 µV	1%
開態(tài)電阻	RDS(on), Vcesat	Vd–Vg@ Id	<100μΩ⁷	10μQ，1μV	1%
輸入電容	Ciss	C–V 100 kHz	100 nF 8±3 kV	10 fF, 100 µV	典型值5%+2pF
輸出電容	Coss	C–V 100 kHz	100 nF 8±3 kV	10 fF, 100 µV	典型值5%+2pF
反向傳輸電容	Crss	C–V 100 kHz	100 nF 8±3 kV	10 fF, 100 µV	典型值5%+2pF

1. 用于提取參數(shù)的測(cè)試方法。僅列出典型MOSFET，其他器件使用的方法類似。
2. 2657A型高功率系統(tǒng)數(shù)字源表儀器。
3. 2636B型數(shù)字源表或4210型源測(cè)量單元（SMU）儀器。
4. 2651A型高功率系統(tǒng)數(shù)字源表儀器或者可選擇雙2651A型高功率系統(tǒng)數(shù)字源表儀器。
5. 在3000V電壓時(shí)大電流20mA，在1500V電壓時(shí)大電流120mA。
6. 典型提取能力(示例: 1mA/1V ～ 1A/1mV)。
7. 典型提取能力(示例: 1mV/10A)。
8. 使用PCT-CVU和CVU-3K-KIT時(shí)，大±200V直流 (±3kV)偏置。

8010高功率器件測(cè)試夾具

8020高功率接口面板

高電流、低電感電纜

高電壓、低噪聲三同軸電纜

2600-PCT-4B型，帶有8010型測(cè)試夾具

典型測(cè)試簡(jiǎn)介

器件	泄漏	擊穿	增益	開態(tài)
雙極型晶體管	IEBO, IECO, IEVEB, ICVCB	BVCBO, BVCEI, BVCEO, BVCEV, BVEBO, BVECO	HFE	IBCO, IBEO, IBICVBE, IBVBE, ICBO, ICEV, ICVCE_BiasIB, ICVCE_BiasVB, ICVCE_StepIB, ICVCE_StepVB, VBCO, VCE
MOSFET	IDL, IDS_ISD, IGL, ISL	BVDSS, BVDSV, BVGDO, BVGDS, BVGSO	GM	IDVD_BiasVG, IDVD_StepVG, IDVG_BiasVD, IDVG_StepVD, IDVG_StepVSUB, IGVG, VTCI, VTEXT, VTEXT_IISQ
二極管	IRDVRD	VBRIRD	NA	DYNAMICZ, IFDVFD, VFDIFD, VRDIRD
電阻器	NA	NA	NA	IV
電容器	IV	Ciss, Coss, Crss, Cgd, Cds, Cgs	NA	Independent bias on up to 4 terminals.

公式函數(shù)簡(jiǎn)介

類型

算術(shù)

ABS, AVG, DELTA, DIFF, EXP, LN, LOG, LOG10, SQRT

參數(shù)提取

GMMAX, RES, RES_4WIRE, RES_AVG, SS, SSVTCI, TTF_ DID_LGT, TTF_LGDID_T, TTF_DID_T, TTF_LGDID_LGT, VTCI, VTLINGM, VTSATGM

擬合

EXPFIT, EXPFITA, EXPFITB, LINFIT, LINFITSLP, LINFITXINT, LINFITYINT, REGFIT, REGFITSLP, REGFITXINT, REGFITYINT, REGFIT_LGX_LGY, REGFIT_ LGX_Y, REGFIT_X_LGY, TANFIT, TANFITSLP,TANFITXINT, TANFITYINT

操作

AT, FINDD, FINDLIN, FINDU, FIRSTPOS, JOIN, LASTPOS, MAX, MAXPOS, MIN, MINPOX, POW, SMOOTH

上一個(gè)：DAQ6510/7700泰克DAQ6510/7700采集/記錄萬用表